簡介 IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor)，現(xiàn)有的品牌有三菱智能IGBT模塊，富士智能的IGBT模塊，西門子智能IGBT模塊，GTR飽和壓下降，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽與壓降低。